#1 |
数量:81643 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:81643 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:13200 |
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最小起订量:200 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
2N5551 - MMBT5551 |
文档 |
Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 600mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 160V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 200mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 80 @ 10mA, 5V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 100MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
包装 | 3TO-92 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 160 V |
集电极最大直流电流 | 0.6 A |
最小直流电流增益 | 80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V |
最大工作频率 | 300 MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA V |
最大集电极基极电压 | 180 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 625 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Ammo Pack |
集电极最大直流电流 | 0.6 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 625 |
最大基地发射极电压 | 6 |
Maximum Transition Frequency | 300 |
封装 | Ammo |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 180 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 160 |
铅形状 | Formed |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 600mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 200mV @ 5mA, 50mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 160V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 80 @ 10mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 2N5551TAFSCT |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 80 |
直流电流增益hFE最大值 | 250 |
单位重量 | 0.006279 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 160 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.2 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.6 A |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
系列 | 2N5551 |
集电极 - 基极电压VCBO | 180 V |
最低工作温度 | - 55 C |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.6 A |
集电极 - 基极电压 | 180 V |
集电极 - 发射极电压 | 160 V |
发射极 - 基极电压 | 6 V |
频率 | 300 MHz |
功率耗散 | 0.625 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
元件数 | 1 |
直流电流增益 | 80 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 0.6 A |
最大直流集电极电流 | 0.6 A |
高度 | 5.33mm |
最大基极-发射极饱和电压 | 1 V |
长度 | 5.2mm |
最大发射极-基极电压 | 6 V |
安装类型 | 通孔 |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大集电极-发射极电压 | 160 V |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +150 °C |
晶体管类型 | NPN |
最大集电极-发射极饱和电压 | 0.20 V |
最低工作温度 | -50 °C |
最大功率耗散 | 625 mW |
宽度 | 4.19mm |
尺寸 | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
最小直流电流增益 | 80 |
最大集电极-基极电压 | 180 V |
封装类型 | TO-92 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
最大工作频率 | 100 MHz |
长度 | 4.7 mm |
身高 | 4.7 mm |
Pd - Power Dissipation | 625 mW |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
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